IBM kuria naujos konstrukcijos 3D lustus

IBM kuria naujos konstrukcijos 3D lustus

IBM Research tyrinėtojai atrado naują trimačių mikroschemų konstrukciją, kurios tranzistorius galima išdėstyti dviejais ar net daugiau sluoksnių, o pats lustų gamybos procesas primena daugiasluoksnio pyrago kepimą.

“Antras ir po to kuriami sluoksniai dedami ant jau esančių, – pranešė projekto vadovė Ketrin Guarini. – Su šia technologija vietoj vieno tranzistorių sluoksnio mes gauname du-tris ar net daugiau”. Su laiku naujoji konstrukcija gali įtakoti žymiai galingesnių procesorių pasirodymą. Tokie lustai, palyginus su savo vienasluoksniais “giminaičiais”, turėtų žymiai didesnį tranzistorių skaičių, be to, taip pavyktų sumažinti mikroschemos tranzistorius jungiančių laidininkų ilgį. Trečiasis naujos konstrukcijos koziris – galimybė vieno korpuso viduje sudėti įvairių tipų mikroschemas, pavyzdžiui, IBM, pridėjusios optinius ryšius valdantį sluoksnį, tikisi sukurti naujos kartos tinklams skirtas mikroschemas.

Tačiau naujoji konstrukcija, nežiūrint milžiniško jos potencialo, kol kas – dar tik ankstyvosiose kūrimo stadijose. Kompanijai dar teks imtis kito žingsnio – reikės tarpusavyje sujungti atskirus tranzistorių sluoksnius, todėl tai, kada gi ši technologija pasirodys rinkoje, dar net neaptarinėjama. Kūrimo metu teks išspręsti rimtas problemas, tokias, kaip daugiasluoksnei mikroschemai būtino didelio energijos kiekio tiekimas. “Gali būti, kad dėl naudojamos energijos apribojimo viršutiniuose jos sluoksniuose bus galima patalpinti ne bet kokią schemą, – pastebėjo Guarini.

Straipsniai 1 reklama

Intel ir keletas kitų kompanijų taip pat anonsavo kuriančios trimačių lustų konstrukcijas, pvz, eksperimentinis Intel Tri-Gate tranzistorius turi tris viena virš kitos išdėstytas užtūras, o Matrix Semiconductor sukūrė daugiasluoksnę atmintinėms skirtą mikroschemą, kuri daug kuo panaši į IBM prototipą.

Apie savo naująją mikroschemų konstrukciją IBM plačiau papasakos gruodį JAV, San-Franciske vyksiančioje tarptautinėje, techniniam schemų projektavimui skirtoje International Electron Devices Meeting konferencijoje.

Views All Time
Views All Time
2383
Views Today
Views Today
1

Pridėti komentarą

El. pašto adresas nebus skelbiamas. Būtini laukeliai pažymėti *

57 − 56 =