AMD nežada nusileisti
Įkandin Intel ir IBM, AMD pranešė sukūrusi naujo tipo tranzistorių su dvejomis užtūromis, o tai ateityje leis toliau didinti procesorių greitaveiką ir ekonomiškumą.
Advanced Micro Devices kompanija savo laboratorijoje pagamino naujo tipo didelio našumo tranzistorius, turinčius dvi užtūras. Ši konstrukcija leidžia padvigubinti per tranzistorių tekančią srovę, maždaug taip, kaip papildoma kelio juosta padidina magistralės praleidžiamąją galią.
IBM, Intel, o dabar ir AMD inžinieriai vienu balsu tvirtina, kad vad. lauko tranzistoriai su keliomis užtūromis, atlikti pagal Fin Field Effect Transistor (Fin-Fet) technologiją – raktas į tolesnį mikroprocesorių našumo didinimo lygį. Ši konstrukcija gali būti naudojama ir ekonomiškų, autonominį maitinimą turinčių įrenginių mikroschemų kūrimui, be to, ji leidžia sumažinti tranzistorių dydžius – ant tokio pat ploto kristalo paviršiaus bus galima išdėstyti iki 1 mlrd. tranzistorių – tuo tarpu šiandien šis rodiklis siekia maždaug 100 mln. tranzistorių vienam kristalui.
Fin-Fet technologija į tranzistoriaus struktūrą įtraukė ir ploną vertikalią silicio briauną, sumažinančią srovės nuostolius, kai tranzistorius yra vad. “uždaroje” būsenoje. Visi kiti struktūriniai tranzistorių aspektai kol kas lieka, kaip buvę – tai leidžia gana greitai pradėti jų gamybą. Naujojo išradimo pagrindu sukurtos mikroschemos rinkoje (prilausomai nuo kompanijos planų) pasirodys per 4 – 10 metų.
IBM jau yra sukūrusi statinės atmintinės mikroschemą – tam ji panaudojo analogiškos konstrukcijos Fin-Fet tranzistorius. Inžinieriai numato, kad jų masinęgamybą bus galima pradėti jau 2006 metais. IBM plačiau apie savo technologijas papasakos gruodį, tuo tarpu Intel šią savaitę vykstančioje Intel Developer Forum konferencijoje jau pasakoja apie savo su daugiasluoksniais tranzistoriais susijusius planus.
AMD nepraneša, kaip būtent ji panaudos savo naujuosius su Berklyje esančiu Kalifornijos intitutu ir Semiconductor Research kompanija bnedradarbiaujant sukurtus tranzistorius, tačiau naujųjų elementų dokumentaciją kartu su Kalifornijos universitetu pristatys San-Franciske vyksiančioje tarptautinėje, techniniam schemų projektavimui skirtoje International Electron Devices Meeting konferencijoje.
