“Intel”, “Samsung electronics” ir TSMC susitarė dėl bendradarbiavimo gaminant 450 mm silicio plokštes
“Intel”, “Samsung” ir TSMC sudarė bendrą 450 mm silicio plokščių gamybos pasirengimo grafiką
Korporacija “Intel”, “Samsung Electronics” ir TSMC (Taivanio puslaidininkių gamybos kompanija) oficialiai paskelbė apie susitarimą bendradarbiauti rinkoje nuo 2012 metų pereinant prie didesnių 450 mm (milimetrų) silicio plokščių naudojimo. Šis pokytis paskatins tolimesnį puslaidininkių rinkos augimą bei leis išlaikyti priimtinus gamybos kaštus pereinant prie integruotų mikroschemų gamybos ateityje.
Kompanijos bendradarbiaus puslaidininkių rinkoje siekdamos užtikrinti, kad visi reikiami komponentai, infrastruktūra ir gamybos pajėgumai būtų plėtojami bei išbandomi atsižvelgiant į numatytus terminus.
Istoriškai didesnių silicio plokščių naudojimas leidžia padidinti puslaidininkių gamybą sumažinant jos kaštus. Pavyzdžiui, lyginant su 300 mm silicio plokštėmis, perėjus prie 450 mm silicio plokščių, iš vienos plokštės bus galima pagaminti iki dviejų kartų daugiau lustų. Be to, efektyviau naudojama energija, plokštės dydis ir kiti resursai didesnėse silicio plokštėse gali leisti maksimaliai sumažinti vieno lusto gamybos sąnaudas.
Pavyzdžiui, perėjimas nuo anksčiau naudotų 200 mm silicio plokščių prie pažangesnių 300 mm silicio plokščių leido sumažinti į aplinką išskiriamų dujų, lemiančių globalinį atšilimą, ir vandens naudojimą. Atitinkamo efekto tikimasi ir naudojant 450 mm silicio plokštes.
“Mūsų industrija jau seniai sėkmingai sprendžia problemas ir kuria inovacijas, leidžiančias pereiti prie didesnio skersmens silicio plokščių naudojimo, kas sumažina mikroschemų gamybos savikainą bei užtikrina visos rinkos augimą. Kartu su “Samsung Electronics” ir TSMC patvirtinę bendrą susitarimą siekiame, kad perėjimas prie 450 mm plokščių leistų ir toliau siekti šio tikslo suteikiant didesnę vertę klientams”, – sakė “Intel” viceprezidentas, Technologijų ir gamybos grupės Technologijų inžinerijos padalinio vadovas Bobas Bruckas.
Kompanijų atstovai tikisi, kad perėjimas prie 450 mm silicio plokščių naudojimo užtikrins didesnę investicijų grąžą ir žymiai sumažins 450 mm plokščių tyrinėjimo bei plėtros kaštus naudojant bendrus standartus, racionalizuojant bei automatizuojant infrastruktūros pokyčius ir 300 mm plokščių gamybą bei bendradarbiaujant pagal sutartą grafiką. Be to, kompanijos pritaria, kad toks bendras požiūris leis sumažinti perėjimo prie pažangesnės technologijos riziką ir kaštus.
“Perėjimas prie 450 mm pagrindinių plokščių naudojimo bus naudingas visai integruotų lustų pramonei. “Intel”, “Samsung” ir TSMC dirbs drauge su kitais tiekėjais bei puslaidininkių gamintojais aktyviai plėtodami 450 mm plokščių galimybes”, – sakė Cheong-Woo Byun, “Samsung Electronics” Atminties lustų gamybos operacijų centro vyresnysis viceprezidentas.
Puslaidininkių gamybos istorijoje pastebima tendencija, kad prie pažangesnio technologinio proceso silicio lakštų naudojimo pareinama vidutiniškai kas dešimtmetį. 300 mm silicio plokštės pradėtos naudoti 2001 metais, praėjus 10 metų nuo 200 mm plokščių gamybos pradžios 1991 metais.
Atsižvelgdami į istorinę raidą “Intel”, “Samsung” ir TSMC sutarė, kad 2012 metai bus optimalus laikas pereiti prie 450 mm plokščių naudojimo. Vertindamos tokio masto perėjimo integracijos kompleksiškumą, kompanijos pripažįsta, kad nuoseklus pokyčių grafiko vertinimas yra būtinas norint užtikrinti visos rinkos pasirengimą.
“Dėl pažangių technologijų kompleksiškumo ateityje galinčios išaugti sąnaudos yra mūsų ateities rūpestis. “Intel”, “Samsung” ir TSMC atstovai tiki, kad perėjimas prie 450 mm pagrindinių lustų naudojimo yra galimas sprendimas, padėsiantis užtikrinti priimtinus industrijos kaštus”, – teigė Markas Liu, TSMC Pažangiųjų technologijų verslo vyresnysis viceprezidentas.
“Intel”, “Samsung” ir TSMC toliau tęs darbą su “International Sematech” organizacija, koordinuojančia puslaidininkių industrijos atstovų pastangas ir bendradarbiavimą diegiant 450 mm lustus, nustatant standartus ir plėtojant technologijos testavimo galimybes.
