Epitaksinės technologijos
Norint pagaminti didelės galios lazerinius diodus, būtina ženkliai sumažinti puslaidininkyje generuojamos šilumos kiekį. InGaAsP kvantinis našumas siekia 55 % ir viršija AlGaAs lazerių kvantinį našumą 45 %, be to, pirmoji medžiaga pasižymi geresniu šilumos laidumu, suteikiančiu bealiuminiams lazeriams didesnį bangos ilgio stabilumą dirbant aukštesnėse temperatūrose. Tai ypač svarbu tuomet, kai siekiant gauti didesnę galią keli lazeriniai diodai sudedami į vieną matricą. Pastarajam pritaikymui Tutcore sukūrė specialią aušinimo technologiją. Medžiagotyros požiūriu InGaAsP yra gana sudėtinga medžiaga. „Komercinė metaloorganinio cheminių dujų nusodinimo (MOCVD – Metal Organic Chemical Vapor Deposition) technologija nepasiekė brandos, būtinos gaminant galingus bealiuminius prietaisus”, – teigia Asonenas.