Pasak Jameso Meindlo, Qiango Cheno ir Jeffrey Daviso iš Džordžijos technologinio instituto, puslaidininkinis silicis, iš kurio dabar gaminami beveik visi integriniai grandynai, turi pakankamai rezervų ir iki 2011 m. gali sutalpinti tūkstantį kartų daugiau tranzistorių nei šiuo metu. Tokiuose lustuose būtų apie milijardą tranzistorių.

Nors fizikai ir nemato principinių tokios pažangos kliūčių, tačiau, be abejo, teks spręsti nemažai techninių klausimų. Pavyzdžiui, laidūs ir izoliuojantys sluoksniai privalės būti daug plonesni nei dabar: nelaidaus silicio oksido sluoksnio storis turės būti apie vieną nanometrą, o visi luste esantys komponentai – ne platesni nei 10 nm.

Meindlio vadovaujama mokslininkų grupė įvertino, kokios yra tolesnio silicio integrinių grandynų miniatiūrizavimo fizikinės ribos. Savo rezultatus jie paskelbė žurnale „Science“.

Views All Time
Views All Time
2790
Views Today
Views Today
1
0 0