Su puslaidininkiais, turinčiais didelį draustinės energijų juostos tarpą, siejami dideli lūkesčiai. Gali būti, kad daugeliu atvejų jis pakeis silicį. Siemens gamina ir parduoda diodus iš silicio karbido, SiC, kurie padidina DC/DC keitiklių efektyvumą, o Cree gamina iš SiC aukštadažnius galios tranzistorius ir šviesos diodus. GaN yra dar viena daug žadanti medžiaga, iš kurios gali būti pagaminti tokias pat aukštas įtampas kaip ir SiC atlaikantys prietaisai, tik žymiai didesnių dažnių.

Ką pasakytumėte apie stiprintuvą, duodantį 40 V išvesties įtampą ir dirbantį 40 GHz dažnių juostoje? Tokius stiprintuvus būtų galima puikiai panaudoti kaip optinių sistemų moduliatorius.

Iki šiol GaN buvo auginamas ant brangių safyro arba dar brangesnių SiC plokštelių. 2 colių skersmens plokštelė gali kainuoti apie 12 000 dolerių! Žinomiausi tokių plokštelių tiekėjai yra RF Nitro Communications, ATMI ir Cree.

Dėl didelės kainos iki šiol GaN tyrimais domėjosi beveik vien amerikiečių kariškiai.

Bet dabar gali prasidėti ir komercinių gaminių kūrimas. Amerikiečių firma Nitronex galiausiai sukūrė technologiją, leidžiančią galio nitridą auginti ir ant silicio padėklų. Tokia 4 colių skersmens plokštelė tekainuos apie 50 dolerių, todėl, prisimenant tai, kas pasakyta apie kainas aukščiau, šis atradimas yra tikra sensacija.

Nitronex savąjį metodą pakrikštijo „Pendeo“. Tai yra šoninio auginimo variantas. Pradžioje ant silicio plokštelės auginamas GaN, po to silicio dioksido sluoksnis, galiausiai – GaN sluoksnis. Silicio dioksidas izoliuoja viršutinį GaN sluoksnį, kuriame sukuriami tranzistoriai, nuo padėkle esančių defektų. Tačiau Nitronex iki šiol nepranešė, kokia yra šio proceso išeiga.

Pasak Nitronex, kompanija pradės pardavinėti GaN jau kitais metais. Firma įkurta 1999 metais, joje dirba 47 žmonės.

Views All Time
Views All Time
3712
Views Today
Views Today
1
0 0